Le tran
sistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique unidirectionnel en courant. Généralement asymétrique en
tension, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.
Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes — c’est-à-dire la grande simplicité de commande du transistor à effet de champ par rapport au transistor bipolaire, tout en conservant les faibles pertes par conduction de ce dernier — a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique,
La structure de l’IGBT permet de résoudre le problème de la forte valeur de la résistance RDS(on) des MOSFET’s haute tension ( >500V).
Les faibles chutes de tension à l’état passant obtenues avec la structure IGBT autorise un fonctionnement à densité de courant plus élevée que celle des transistors bipolaires ou Darlington (60A/cm² à 1000V).
On réalise aujourd’hui des IGBT’s pour le contrôle des gros moteurs (traction électrique), L’IGBT s’impose de plus en plus dans le domaine de la haute tension (600 V à 3kV ) et de la forte
puissance (> 5kW ). Cela s’adresse essentiellement aux commandes de gros moteurs.
En moyenne puissance (#1KW) l’IGBT est souvent choisi pour sa facilité de commande (comme le
MOSFET) et sa robustesse (tenue dans l’avalanche, tenue en court circuit …)
Application :
Il est utilisé :
– En commande de moteurs : circuits économiques ( souvent F< 10kHz)
– Dans l’automobile : presque exclusivement pour l’allumage (500v « logic level)
– Dans l’éclairage : Gradateur – Lampes H.I.D
– Alimentations(Convertisseurs à découpage).
Source : https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_bipolaire_%C3%A0_grille_isol%C3%A9e
